李凤辉
,
王群
,
郭红霞
,
李永卿
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.013
本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合金材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EMI抑制的Sendust软磁复合材料元器件的制作过程,经测试其在频段范围800MHz～1.5GHz内,磁导率虚部平均值为10.4,平均抑制效果(S21)可达11.5dB.
关键词:
磁损耗
,
软磁合金
,
电磁干扰
,
涡流损耗
,
磁滞损耗
